ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કયા પરિબળો પર આધાર રાખે છે?

જ્યારે ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $E$ છે. ગતિઊર્જા બમણી કરવા માટે,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ કેટલી હોવી જોઈએ?

$E$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $W_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. જો આ ઈલેક્ટ્રોન $B$ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં ક્ષેત્રને લંબ દિશામાં દાખલ થાય અને $r$ ત્રિજ્યાનો વર્તુળાકાર માર્ગ બનાવે,તો ત્રિજ્યા $r$ નું સૂત્ર શું હશે? (સામાન્ય સંકેતોમાં)

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન $3.3 \text{ eV}$ છે. તો તેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી થશે?

બે અલગ કરેલા એકરંગી પ્રકાશ પુંજો $A$ અને $B$ જેમની તીવ્રતા સમાન છે,જેમને ધાત્વીય પૃષ્ઠ પર એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ લંબ રીતે આપાત કરવામાં આવે છે. તેમની તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_A$ અને $\lambda_B$ છે. આપાત પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરવા માટે સક્ષમ છે. પુંજ $A$ અને $B$ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

બે ધાતુઓ માટે $V$ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) વિરુદ્ધ $\frac{1}{\lambda}$ નો આલેખ દોરવામાં આવે છે,જ્યાં $\lambda$ એ આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ છે.